当前位置:主页 > flash模块 >

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

时间:2020-05-19 10:51 来源:未知 作者:QQ克隆

富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器产品。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202005/413167.htm

ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术,未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20,数据擦写上限是后者的10倍。

MB85AS4MT是具备SPI接口的ReRAM产品,能在1.65至3.6伏特电压下工作,并可于最高频率5MHz下进行读写操作,而仅需0.2mA的平均电流。

此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备,例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备上有绝佳的表现。

截至目前为止,富士通通过提供具有耐读写及低功耗特性的FRAM(铁电随机存储器),以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求。在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后,富士通可进一步扩充产品系列,以满足客户多样化的需求。

MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作,还能通过SPI接口支持最高5 MHz的工作频率,并在读取时仅需极低的工作电流(5MHz频率下平均仅消耗0.2mA)。此外,该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。

此全新产品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package),引脚与EEPROM等非易失性内存产品兼容。富士通在微型8-pin SOP封装中置入4 Mbit的ReRAM,超越了串行接口EEPROM的最高密度。

富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备,以及量表与传感器等物联网设备。

富士通预期未来持续提供各种产品与解决方案,以协助客户提升其应用的价值与便利性。

产品规格

组件料号:MB85AS4MT

内存密度(组态):4 Mbit(512K字符x 8位) 

界面:SPI(Serial peripheral interface) 

工作电压:1.65 – 3.6V 

低功耗:读入工作电流0.2mA(于5MHz) 

写入工作电流1.3mA(写入周期间) 

待机电流10μA 

休眠电流2μA 

保证写入周期:120万次 

保证读取周期:无限 

写入周期(256 位/页):16毫秒(100%数据倒置) 

数据保留:10年(最高摄氏85度) 

封装:209mil 8-pin SOP